R. Beyers et al., "Titanium Disilicide Formation on Heavily Doped Si Substrates," J. Appl. Physics, vol. 61, No. 11, Jun. 1, 1987, pp. 5110-5117. |
E. K. Broadbent, A. E. Morgan, J. M. Deblasi, P. van der Putte, B. Coulman, B. J. Burrow, D. K. Sadana, and A. Reader, J. Electrochem. Soc. 133, 1715 (1986). |
C. Yang, S. Mehta, and P. Davies, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 76, 247 (1987). |
S. S. Chen, S. Sivaram, and R. K. Shukla, J. Vac. Sci. Technol., B5, 1730 (1987). |
H. H. Busta and C. H. Tang, J. Electrochem. Soc. 133, 1195 (1986). |
M. Wong, N. Kobayashi, R. Browning, D. Paine and K. C. Saraswat, J. Electrochem. Soc., 134, 2339-2345 (1987). |
M. L. Green, Y. S. Ail, T. Boone, B. A. Davidson, L. C. Feldman and S. Nakhara, J. Electrochem. Soc., 134, 2285 (1987). |
R. C. Ellwanger, J. E. J. Schmitz, R. A. M. Wolters, and A. J. M. van Dijk in "Proceedings of the 1986 Workshop on Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications II" MRS, Pittsburgh, Pa., pp. 399-407 (1986). |
C. M. McConica and K. Krishnamani, J. Electrochem. Soc., 133, 2542-2548 (1986). |
C. M. McConica and K. Krishnamani, 1984 Workshop, Materials Research Society, pp. 433-442 (1985). |
Y. Pauleau, F. C. Dassapa, P. H. Lami, J. C. Oberlin and F. Romagna, J. Mater. Res., 4, 156 (1989). |
R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys., 57, 5240-5245 (1985). |
H. J. W. van Houtum and I. J. M. Raaijamakers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 54, 37 (1986). |
H. J. W. van Houtum and I. J. M. Raaijmakers, J. Appl. Phys., 61, 3116-3118 (1987). |
I. J. Raaijmakers, A. H. van Ommen and A. H. Reader, J. Appl. Phys. 65, 3896-3906 (1989). |
F. M. d'Heurle, A. Cros, R. D. Frampton and E. A. Irene, Philos. Mag. B, 55, 291-308 (1987). |